1、建设项目基本信息
企业基本信息
建设单位名称： 建设单位代码类型： 建设单位机构代码： 建设单位法人： 建设单位联系人： 建设单位所在行政区划： 建设单位详细地址：
| **** | |
| ****0324MA23R1N34L | 简路 |
| 李经理 | **省**市睢** |
| ****开发区新材料产业园 |
建设项目基本信息
项目名称： 项目代码： 项目类型： 建设性质： 行业类别（分类管理名录）： 行业类别（国民经济代码）： 工程性质： 建设地点： 中心坐标： ****机关： 环评文件类型： 环评批复时间： 环评审批文号： 本工程排污许可证编号： 排污许可批准时间： 项目实际总投资(万元)： 项目实际环保投资(万元)： 运营单位名称： 运营单位组织机构代码： 验收监测(调查)报告编制机构名称： 验收监测(调查)报告编制机构代码： 验收监测单位： 验收监测单位组织机构代码： 竣工时间： 调试起始时间： 调试结束时间： 验收报告公开起始时间： 验收报告公开结束时间： 验收报告公开形式： 验收报告公开载体：
| ****芯片生产制造项目 | **** |
| |
| 2021版本:080-电子器件制造 | C3979-C3979-其他电子器件制造 |
| ****睢** ****睢** |
| 经度:117.603056 纬度: 34.060833 | ****环境局 |
| 2022-06-09 |
| 徐睢环项表〔2022〕22号 | ****0324MA23R1N34L001W |
| 2022-12-14 | 10000 |
| 350 | **** |
| MA23R1N3-4 | **** |
| MA23R1N3-4 | 山****集团****公司 |
| MA3NHR17-3 | 2024-12-02 |
| 2024-12-03 | 2025-01-04 |
| 2025-03-10 | 2025-04-08 |
| https://www.****.com/gs/list/1 |
2、工程变动信息
项目性质
环评文件及批复要求： 实际建设情况： 变动情况及原因： 是否属于重大变动： 是否重新报批环境影响报告书(表)文件：
规模
环评文件及批复要求： 实际建设情况： 变动情况及原因： 是否属于重大变动： 是否重新报批环境影响报告书(表)文件：
| 年产120万片半导体芯片（5英寸） | 年产40万片半导体芯片（5英寸） |
| 项目分期建设 | |
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生产工艺
环评文件及批复要求： 实际建设情况： 变动情况及原因： 是否属于重大变动： 是否重新报批环境影响报告书(表)文件：
| 工艺流程及产污环节简述： （1）预扩前清洗：对硅片进行清洗，主要是清除表面的油污杂质等。最主要 的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗。本项目采用液体喷雾 的方法，首先将硅片放入花篮中，然后将装有硅片的花篮浸泡在氢氧化钠溶液中 浸泡 10 分钟，浸泡后用水进行两级冲洗，再将硅片放入稀氢氟酸（氢氟酸:纯净 水=1:1）中，浸泡时间 10 分钟，常温操作，浸泡后用水进行两级冲洗，冲洗后将 硅片放入一号液中（氨水:双氧水:纯净水=1:1:5）进行煮液，煮液采用电加热，煮 液时间 10 分钟，操作温度 80℃ , 10 分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后再将硅片 放入二号液中（盐酸:双氧水:纯净水=1:1:5），煮液时间 10 分钟，操作温度 80℃ , 10 分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机内甩干，甩干后将硅片放 入烘箱内烘烤，烘烤后进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G1（HF 、HCl）、碱性气体 G2（NH3）、酸性废水 W1、 碱性废水 W2 、定期更换的废酸液 S1 和废碱液 S2。 （2）磷预扩：磷扩散是在硅片表面掺入纯杂质原子的过程，本工艺采用液态 三氯氧磷作为扩散源。先通入大流量的 N2 以赶走扩散炉石英管中的空气，并对扩 散炉进行升温，待炉温升至 850℃并且恒定后，把预扩前清洗后的晶片推入石英 舟中。再通入氮气，三氯氧磷随氮气一起被带入扩散炉中，利用气泡带入法将三 氯氧磷带入，再通入氧气使硅片表面发生反应掺杂P 源，从而使硅片表面形成一 层薄层。程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将石英舟上的材料取到花篮 中后再进入下一道工序。扩散炉采用电加热，氧气采用外购瓶装液氧。 此过程的典型反应为：4POCl3+3O2 →2P2O3+6Cl2 2P2O5+5Si →5SiO2+4P 反应过程中 Si 和 O2 均过量，以便使 POCl3 完全反应。本工段不会产生磷化 氢，这是因为本工段中无氢参与反应以及不能满足磷化氢的制备条件。 该过程会产生磷预扩废气 G3（Cl2 、N2 、O2 、二氧化硅粉尘） （3）再扩前清洗：将硅片放入花篮中，然后将装有硅片的花篮浸泡在稀氢氟 酸（氢氟酸:纯净水=1:1）中，浸泡时间 10 分钟，常温操作，浸泡后用水进行两 级冲洗，冲洗后将硅片放入一号液中（氨水、双氧水、纯净水）进行煮液，煮液采用电加热，煮液时间 10 分钟，操作温度 80℃ , 此时，氨气全部挥发，10 分钟 后用水进行两级冲洗，冲洗后再将硅片放入二号液中（盐酸、双氧水、纯净水）， 煮液时间 10 分钟，操作温度 80℃ , 10 分钟后用纯水进行两级冲洗，冲洗后将材 料放入甩干机内甩干，甩干后将硅片放入烘箱内烘烤，烘烤后进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G4（HF 、HCl）、碱性气体 G5（NH3）、酸性废水 W3、 碱性废水 W4 、定期更换的废酸液 S3 和废碱液 S4。 （4）再扩：将清洗后的硅片涂上硼水再摆入到预扩碳化硅舟上，然后将碳化 硅舟放到扩散炉炉口，在洁净的石英管内，经过预扩炉 1220℃高温 2 小时后，同 时充入氮气、氧气进行保护，硼源会在硅片表面形成一层硼硅玻璃，该过程无化 学反应，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将石英舟上的材料取到花篮 中后再进入下一道工序。 （5）匀胶、烘烤：为了保护硅片，需要再硅片表面进行涂胶，本项目涂胶用 的是科华胶或瑞红胶，涂胶之前，先将洁净的硅片表面涂上增粘剂，可增加胶与 基片间的粘附能力，防止显影时胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀。 胶的涂布使用转速和旋转时间可自由设定的匀胶机来进行的。首先，用真空吸引 法将硅片吸在匀胶机的吸盘上，将具有一定粘度的胶滴在基片的表面，然后以设 定的转速和时间匀胶。由于离心力的作用，胶在硅片表面均匀地展开，多余的胶 被甩出来并回收起来，获得一定厚度的胶膜，胶的膜厚是由胶的粘度和匀胶的转 速来控制。胶主要是由对光与能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂组成。由 于科华胶或瑞红胶的溶剂为二甲苯，故回收的胶用二甲苯进行调配。 为了使胶附着在硅片表面，涂胶后要进行烘烤，在 100℃左右的烤箱中烘烤 10-15 分钟，去除胶中的溶剂。胶中的有机溶剂挥发成有机废气，经收集系统收集 处理，而胶中的高分子聚合物作为涂层牢固地附着在基质的表面。 该过程产生有机废气 G6（非甲烷总烃、二甲苯）、废胶 S5。 （6）曝光显影：在掩模板的遮蔽下，将硅片一片一片进行手动曝光，使胶发 生化学反应，曝光后的硅片装入花篮中，放到显影机内进行下显影，片子在机台 内高速旋转，同时片子上方滴落有负胶显影液，使胶的曝光部分被溶解，显影在 常温下进行。显影时间到后进行定影，定影的作用是将显影后的图形进行定型， 定影完成后进行放入漂洗液中进行漂洗，漂洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱烘烤。 该过程产生有机废气 G7（非甲烷总烃、 二甲苯）、废显影液 S6 、废漂洗液 S7。 （7）开沟去胶：曝光显影后的硅片放入到蚀刻机中进行酸（混酸 99124 ，无 需配置）腐蚀，腐蚀完成后对硅片用 3D 镜像显微镜进行深度测量，深度合格后 将硅片放入氢氟酸中进行去胶，去胶完成后将硅片泡入热水中（电加热），然后再 用纯水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入 烤箱中烘烤，烘烤时间到后将硅片取出进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G8（NOX、HF、乙酸、硫酸雾），定期更换的废酸液 S8。 （8）RCA 清洗：同再扩前清洗步骤。 该过程产生酸性气体 G9（HF、HCl）、碱性气体 G10（NH3）、酸性废水 W5、 碱性废水 W6 、定期更换的废酸液 S9 和废碱液 S10。 （9）长 SIPOS： 目的是让硅片长一层 SIPOS 膜（多晶硅膜），是利用硅烷和 笑气，在氮气的保护下反应，生成 SiO2 沉积在晶片表面。 利用化学气相沉积机（LPCVD）在整个外延层表面沉积一层二氧化硅薄膜， 对器件起到保护的作用。其原理是先用HCl 气体对炉管和材料进行清洁，然后将 腔体抽至低压，充入氮气进行保护，再流进特定气体（SiH4 :笑气=1:3 ，SiH4 全部 反应），并将腔体控制在特定压力下（300sccm），温度约设定 250℃, 以射频产生 器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低的温度下制成硅氧 化层薄膜。沉积前腔体内部需抽真空处理，设备起始真空度可达 9.99E-07Torr ， SiO2 沉积时真空度达 5.0E-2Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。本项目 沉积过程是硅烷与笑气反应生成二氧化硅淀积在器件表面反应方程式为： SiH4+2N2O →SiO2+2N2+2H2 该过程主要产生制程沉积废气 G11（笑气（N2O）、SiO2 、H2 、N2）、酸性废 气 G12（HCl）。 （10）涂玻璃：将硅片通过高温熔炉一片一片转移到吸盘上进行手动涂玻璃 浆，增加其致密性从而具有较强的钝化作用。玻璃浆是用玻璃粉、乙基纤维素和 丁基卡必醇按一定比例调配而成，涂好后的硅片用加热板烤干，烤干后的硅片装 入花篮中进入下一道工序。该过程产生有机废气 G13（非甲烷总烃）、废玻璃浆 S11。 （11）玻璃钝化：将硅片摆入到玻璃钝化石英舟上，将石英舟放到扩散炉炉 口，运行程式，在低温 400℃的温度下通入氮气、氧气，使得晶体表面沉积一层 透明玻璃，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将舟上的硅片取到花篮中 后再转入下一道工序。 （12）长 LTO： 目的是让硅片长一层 LTO 膜（二氧化硅膜），利用硅烷和氧 气，在氮气的保护下反应，生成 SiO2 沉积在晶片表面。 利用化学气相沉积机（LPCVD）在整个外延层表面沉积一层二氧化硅薄膜， 对器件起到保护的作用。其原理是先用HCl 气体对炉管和材料进行清洁，然后将 腔体抽至低压，再流进特定气体（SiH4 和 O2），并将腔体控制在特定压力下，温 度约设定 250℃,以射频产生器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而 可以在更低的温度下制成硅氧化层薄膜。沉积前腔体内部需抽真空处理，设备起 始真空度可达 9.99E-07Torr ，SiO2 沉积时真空度达 5.0E-2Torr，残留气体极少，不 会对膜层产生影响。本项目沉积过程是硅烷与氧气反应生成二氧化硅淀积在器件 表面反应方程式为： SiH4+2O2=SiO2+2H2O 该过程主要产生制程沉积废气 G14（SiO2、H2O、N2、O2）、酸性废气 G15（HCl）。 （13）匀胶曝光显影：将硅片装入花篮中，将花篮放到机器上，运行程式， 开始涂瑞红胶，涂胶后在加热板上进行烤干，烤干后装入花篮中，将花篮取下放 到烤箱中烘烤，将烘烤好的硅片一片一片进行手动曝光，曝光后的硅片装入花篮 中，进行下显影，显影时间到后进行定影，定影完成后放入漂洗液中进行漂洗， 漂洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱烘烤，烘烤时间到 后将硅片取出转入下一道工序。 该过程产生有机废气 G16（非甲烷总烃、二甲苯）、废胶 S12、废显影液 S13、 废漂洗液 S14。 （14）台面蚀刻：将硅片装入花篮中，再放入机器上漂混酸 1811，漂完后用 纯净水进行两级冲洗，再漂 BOE 溶液进行台面蚀刻（氟化铵溶液），漂好后用纯 净水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤 箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入一道工序。该过程产生酸性废气 G17（NOX 、HF 、乙酸）、酸性废水 W7 、废酸液 S15、 蚀刻废液 S16。 （15）去胶：将硅片放入硫酸溶液（硫酸、双氧水）中进行去胶，去胶完成 后将材料泡入热水中，然后再用纯净水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入甩干机 甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道 工序。 该过程产生酸性气体 G18（硫酸雾）、酸性废水 W8。 （16）镀镍前清洗：将硅片夹入花篮中，将硅片放入一号液中（氨水、双氧 水、纯净水）进行煮液，煮完后用水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机甩 干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道工 序。 该过程产生碱性废气 G19（NH3）、碱性废水 W9 、废碱液 S17。 （17）化学镀镍：将装好花篮的硅片浸泡稀氢氟酸中，浸泡时间 10-15 秒， 常温操作，浸泡后用水进行两级清洗，再放入活化液（氯化金溶液）中浸泡，浸 泡时间 10-15 秒，常温操作，活化处理的目的是使镀件基体表面有活性，能使化 学镀自发进行。硅片在活化液中浸泡后用水进行两级清洗，清洗完将硅片需要镀 镍部分放入镍组溶液（氯化镍、次亚磷酸钠、氨水）中通过化学反应镀镍 3 分钟， 温度控制在90-95℃ , 反应方程式如下。镀镍完用水进行两级冲洗，冲洗后将硅片 放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出 转入下一道工序。 NiCl2+2NaH2PO2+2H2O →Ni+2NaH2PO3+2HCl++H2 该过程产生镀镍酸性废气 G20（HF 、HCl 、H2）、碱性废气 G21（NH3）、废 酸液 S18 、废碱液 S19、镀镍废液 S20（含镀镍清洗废水）。 （18）合金：将硅片摆入到镍烧结舟上，将镍烧结舟放到扩散炉炉口，在洁 净的石英管内，经过扩散炉570℃高温 50 分钟后，同时充入氮气进行保护，镍源 会在硅片表面形成一层镍合金，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将镍 烧结舟上的硅片取到花篮中后再转入下一道工序。 （19）蒸镀：为了使硅片具有可焊性，需要再硅片表面镀一层金属，本项目 采用蒸镀的方式，所镀金属层按钛、镍、银、铝顺序分别蒸镀，蒸镀温度设定在150℃ , 每种金属蒸镀 1 小时，共 4 小时。蒸镀前将硅片在硝酸溶液中浸泡，浸泡 完用纯净水进行二级冲洗，去除烧结后的硅片表面氧化物质，冲洗后进行烘干， 然后再将硅片放置于蒸镀机内的载片架上，然后运行程式，程式结束后将硅片在 机器内取出转入下一道工序。 该过程产生蒸镀废气 G22（NOx）、酸性废水 W10、废酸液 S21 、蒸镀废金属 S22。 （20）镀锡：将硅片放在机器上，运行程式进行镀锡，借电解作用在芯片蒸 镀的金属层表面沉积一层锡，从而防止蒸镀金属氧化，本项目以锡液（硫酸亚锡、 硫酸）为阳极，芯片金属层为阴极，锡离子在电势能作用下得到电子附着在金属 表面，同时金属层在电势能作用下失去电子成为金属离子，Sn2+ 的含量保持在最 佳浓度的正负 10%以内，温度控制在 20℃左右，程序结束后将材料取下用纯净水 冲洗两次，转入下一道工序。镀锡过程无需加热熔化。镀锡过程的电反应如下： 阳极：Sn2+ + 2e → Sn 阴极：X - e → X-e 该过程产生镀锡酸性废气 G23（硫酸雾）、酸性废水 W11 、废锡液 S23。 （21）测试：将硅片放置在机器上（机器中装入水性墨水），运行测试程序， 测试完后将材料取下装入花篮中，用脱脂棉沾丙酮溶液将硅片上的污渍擦掉，然 后进行烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道工序。 该过程产生有机废气 G24（丙酮）、不合格芯片 S24 、废有机溶剂 S25。 （22）贴膜：将硅片放置在机器上，进行手动贴蓝膜，贴膜完成后将硅片取 出转入下一道工序。 该过程产生废蓝膜 S26。 （23）切割：将硅片放置在机器上，运行切割程序，切割完后将硅片取下进 行烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一站。 该过程产生不合格芯片 S27。 （24）裂片：将硅片放在麦拉纸上用裂片棒进行手动裂片，裂片完成后放入 异丙醇溶液中进行清洗，清洗后无需用水清洗，转入下一道工序。 该过程产生有机废气 G25（异丙醇）、不合格芯片 S28 、废有机溶剂 S29。（25）包装出货：将生产好的产品进行手动包装，包装好后出货。 本项目热源均由电加热，不设置锅炉。 | 生产工艺流程简介： （1）预扩前清洗：对硅片进行清洗，主要是清除表面的油污杂质等。最主要的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗。本项目采用液体喷雾的方法，首先将硅片放入花篮中，然后将装有硅片的花篮浸泡在稀氢氟酸中浸泡10分钟，常温操作，浸泡后用水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入一号液中（氨水：双氧水：纯水=1：1：5）进行煮液，煮液采用电加热，煮液时间 10 分钟，操作温度 80℃ , 10 分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后再将硅片放入二号液中（盐酸：双氧水：纯水=1：1：5），煮液时间10分钟，操作温度 80℃ , 10 分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机内甩干，甩干后将硅片放入烘箱内烘烤，烘烤后进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G1（HF 、HCl）、碱性气体 G2（NH3）、酸性废水W1、碱性废水W2、定期更换的废酸液S1和废碱液 S2。 （2）磷预扩：磷扩散是在硅片表面掺入纯杂质原子的过程，本工艺采用液态三氯氧磷作为扩散源。先通入大流量的 N2 以赶走扩散炉石英管中的空气，并对扩散炉进行升温，待炉温升至 850℃并且恒定后，把预扩前清洗后的晶片推入石英舟中。再通入氮气，三氯氧磷随氮气一起被带入扩散炉中，利用气泡带入法将三氯氧磷带入，再通入氧气使硅片表面发生反应掺杂P源，从而使硅片表面形成一层薄层。程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将石英舟上的材料取到花篮中后再进入下一道工序。扩散炉采用电加热，氧气采用外购瓶装液氧。 此过程的典型反应为： 4POCl3+3O2 →2P2O3+6Cl2 2P2O5+5Si →5SiO2+4P 反应过程中Si和O2均过量，以便使POCl3 完全反应。本工段不会产生磷化氢，这是因为本工段中无氢参与反应以及不能满足磷化氢的制备条件。 该过程会产生磷预扩废气 G3（Cl2 、N2 、O2 、二氧化硅粉尘） （3）再扩前清洗：将硅片放入花篮中，然后将装有硅片的花篮浸泡在稀氢氟酸（氢氟酸：纯水=1：1）中，浸泡时间10分钟，常温操作，浸泡后用水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入一号液中（氨水、双氧水、纯水）进行煮液，煮液采用电加热，煮液时间10分钟，操作温度80℃ , 此时，氨气全部挥发，10分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后再将硅片放入二号液中（盐酸、双氧水、纯水），煮液时间10分钟，操作温度80℃，10分钟后用纯水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机内甩干，甩干后将硅片放入烘箱内烘烤，烘烤后进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G4（HF 、HCl）、碱性气体 G5（NH3）、酸性废水 W3、碱性废水 W4 、定期更换的废酸液S3和废碱液 S4。 （4）再扩：将清洗后的硅片涂上硼水再摆入到预扩碳化硅舟上，然后将碳化硅舟放到扩散炉炉口，在洁净的石英管内，经过预扩炉1220℃高温2小时后，同时充入氮气、氧气进行保护，硼源会在硅片表面形成一层硼硅玻璃，该过程无化学反应，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将石英舟上的材料取到花篮中后再进入下一道工序。 （5）匀胶、烘烤：为了保护硅片，需要再硅片表面进行涂胶，本项目涂胶用的是瑞红胶，涂胶之前，先将洁净的硅片表面涂上增粘剂，可增加胶与基片间的粘附能力，防止显影时胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀。胶的涂布使用转速和旋转时间可自由设定的匀胶机来进行的。首先，用真空吸引法将硅片吸在匀胶机的吸盘上，将具有一定粘度的胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间匀胶。由于离心力的作用，胶在硅片表面均匀地展开，多余的胶被甩出来并回收起来，获得一定厚度的胶膜，胶的膜厚是由胶的粘度和匀胶的转速来控制。胶主要是由对光与能量非常敏感的高分子聚合物和有机溶剂组成。由于科华胶或瑞红胶的溶剂为二甲苯，故回收的胶用二甲苯进行调配。 为了使胶附着在硅片表面，涂胶后要进行烘烤，在 100℃左右的烤箱中烘烤 10-15分钟，去除胶中的溶剂。胶中的有机溶剂挥发成有机废气，经收集系统收集处理，而胶中的高分子聚合物作为涂层牢固地附着在基质的表面。 该过程产生有机废气 G6（非甲烷总烃、二甲苯）、废胶 S5。 （6）曝光显影：在掩模板的遮蔽下，将硅片一片一片进行手动曝光，使胶发生化学反应，曝光后的硅片装入花篮中，放到显影机内进行下显影，片子在机台内高速旋转，同时片子上方滴落有负胶显影液，使胶的曝光部分被溶解，显影在常温下进行。显影时间到后进行定影，定影的作用是将显影后的图形进行定型， 定影完成后进行放入漂洗液中进行漂洗，漂洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱烘烤。 该过程产生有机废气 G7（非甲烷总烃、 二甲苯）、废显影液 S6 。 （7）开沟去胶：曝光显影后的硅片放入到蚀刻机中进行酸（混酸99124，无需配置）腐蚀，腐蚀完成后对硅片用3D镜像显微镜进行深度测量，深度合格后将硅片放入硫酸中进行去胶，去胶完成后将硅片泡入热水中（电加热），然后再用纯水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱中烘烤，烘烤时间到后将硅片取出进入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G8（NOX、HF、乙酸、硫酸雾），定期更换的废酸液 S7。 （8）RCA 清洗：同再扩前清洗步骤。 该过程产生酸性气体 G9（HF、HCl）、碱性气体 G10（NH3）、酸性废水 W5、碱性废水 W6、定期更换的废酸液S8 和废碱液S9。 （9）长 SIPOS： 目的是让硅片长一层 SIPOS 膜（多晶硅膜），是利用硅烷和笑气，在氮气的保护下反应，生成 SiO2 沉积在晶片表面。 利用化学气相沉积机（LPCVD）在整个外延层表面沉积一层二氧化硅薄膜， 对器件起到保护的作用。其原理是先用HCl 气体对炉管和材料进行清洁，然后将腔体抽至低压，充入氮气进行保护，再流进特定气体（SiH4：笑气=1：3 ，SiH4 全部反应），并将腔体控制在特定压力下（300sccm），温度约设定250℃, 以射频产生器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低的温度下制成硅氧化层薄膜。沉积前腔体内部需抽真空处理，设备起始真空度可达 9.99E-07Torr ，SiO2沉积时真空度达5.0E-2Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。本项目沉积过程是硅烷与笑气反应生成二氧化硅淀积在器件表面反应方程式为： SiH4+2N2O →SiO2+2N2+2H2 该过程主要产生制程沉积废气 G11（笑气（N2O）、SiO2 、H2 、N2）、酸性废气 G12（HCl）。 （10）涂玻璃：将硅片通过高温熔炉一片一片转移到吸盘上进行手动涂玻璃 浆，增加其致密性从而具有较强的钝化作用。玻璃浆是用玻璃粉、乙基纤维素和 丁基卡必醇按一定比例调配而成，涂好后的硅片用加热板烤干，烤干后的硅片装 入花篮中进入下一道工序。 该过程产生有机废气 G13（非甲烷总烃）、废玻璃浆 S10。 （11）玻璃钝化：将硅片摆入到玻璃钝化石英舟上，将石英舟放到扩散炉炉 口，运行程式，在低温400℃的温度下通入氮气、氧气，使得晶体表面沉积一层 透明玻璃，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将舟上的硅片取到花篮中 后再转入下一道工序。 （12）长 LTO：目的是让硅片长一层 LTO 膜（二氧化硅膜），利用硅烷和氧气，在氮气的保护下反应，生成 SiO2 沉积在晶片表面。 利用化学气相沉积机（LPCVD）在整个外延层表面沉积一层二氧化硅薄膜， 对器件起到保护的作用。其原理是先用HCl 气体对炉管和材料进行清洁，然后将腔体抽至低压，再流进特定气体（SiH4 和 O2），并将腔体控制在特定压力下，温度约设定250℃，以射频产生器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低的温度下制成硅氧化层薄膜。沉积前腔体内部需抽真空处理，设备起始真空度可达 9.99E-07Torr ，SiO2 沉积时真空度达 5.0E-2Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。本项目沉积过程是硅烷与氧气反应生成二氧化硅淀积在器件表面反应方程式为： SiH4+2O2=SiO2+2H2O 该过程主要产生制程沉积废气 G14（SiO2、H2O、N2、O2）、酸性废气 G15（HCl）。 （13）匀胶曝光显影：将硅片装入花篮中，将花篮放到机器上，运行程式， 开始涂瑞红胶，涂胶后在加热板上进行烤干，烤干后装入花篮中，将花篮取下放 到烤箱中烘烤，将烘烤好的硅片一片一片进行手动曝光，曝光后的硅片装入花篮 中，进行下显影，显影时间到后进行定影，定影完成后放入漂洗液中进行漂洗， 漂洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱烘烤，烘烤时间到 后将硅片取出转入下一道工序。 该过程产生有机废气 G16（非甲烷总烃、二甲苯）、废胶 S11、废显影液 S12。 （14）台面蚀刻：将硅片装入花篮中，再放入机器上漂混酸1811，漂完后用纯水进行两级冲洗，再漂BOE 溶液进行台面蚀刻（氟化铵溶液），漂好后用纯水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入一道工序。 该过程产生酸性废气 G17（NOX、HF、乙酸）、酸性废水W7 、废酸液 S13、蚀刻废液 S14。 （15）去胶：将硅片放入硫酸溶液（硫酸、双氧水）中进行去胶，去胶完成 后将材料泡入热水中，然后再用纯水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G18（硫酸雾）、酸性废水W8。 （16）蒸镀前清洗 将硅片夹入花篮中，将硅片放入一号液中（氨水、氢氟酸）进行煮液，煮完后用水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道工 序。 该过程产生碱性废气 G19（NH3）、碱性废水W9 、废碱液 S15。 （17）蒸镀：为了使硅片具有可焊性，需要再硅片表面镀一层金属，本项目 采用蒸镀的方式，所镀金属层按钛、镍、银顺序分别蒸镀，蒸镀温度设定在150℃ , 每种金属蒸镀1小时，共3小时。蒸镀前将硅片在硝酸溶液中浸泡，浸泡完用纯水进行二级冲洗，去除烧结后的硅片表面氧化物质，冲洗后进行烘干，然后再将硅片放置于蒸镀机内的载片架上，然后运行程式，程式结束后将硅片在机器内取出转入下一道工序。 该过程产生蒸镀废气 G20（NOx）、酸性废水 W10、废酸液 S16、蒸镀废金属 S17。 （18）反刻：将硅片装入花篮中，将花篮放到机器上，运行程式，开始涂瑞红胶，涂胶后在加热板上进行烤干，烤干后装入花篮中，将花篮取下放到烤箱中烘烤，将烘烤好的硅片一片一片进行手动曝光，曝光后的硅片装入花篮中，进行下显影，显影时间到后进行定影，定影完成后放入漂洗液中进行漂洗， 漂洗后将硅片放入甩干机甩干，甩干时间到后将硅片放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将硅片取出转入下一道工序。 该过程产生有机废气 G21（非甲烷总烃、二甲苯）、废胶 S20、废显影液 S18。 （19）剥离去胶：将摆好材料的花篮放到机器上运行程式，先泡剥离液，结束后泡流动热水，泡完热水后将材料放入甩干机甩干，甩干时间到后将材料放入烤箱烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一站。 该过程产生有机废气 G22（非甲烷总烃、二甲苯）、酸性废水W11、废胶S19、废剥离液 S20。 （20）合金：将硅片摆入到镍烧结舟上，将镍烧结舟放到扩散炉炉口，在洁 净的石英管内，经过扩散炉570℃高温50分钟后，同时充入氮气进行保护，镍源会在硅片表面形成一层镍合金，程式运行结束后，将舟在扩散炉炉口取下，将镍烧结舟上的硅片取到花篮中后再转入下一道工序。 （21）测试：将硅片放置在机器上（机器中装入油性墨水），运行测试程序， 测试完后将材料取下装入花篮中，然后将装有硅片的花篮浸泡在稀氢氟酸（氢氟酸：纯水=1：1）中，浸泡时间10分钟，常温操作，浸泡后用水进行两级冲洗，冲洗后将硅片放入一号液中（氨水、双氧水、纯水）进行煮液，煮液采用电加热，煮液时间10分钟，操作温度80℃ , 此时，氨气全部挥发，10分钟后用水进行两级冲洗，冲洗后再将硅片放入二号液中（盐酸、双氧水、纯水），煮液时间10分钟，操作温度80℃，10分钟后用纯水进行两级冲洗，冲洗后将材料放入甩干机内甩干，然后进行烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一道工序。 该过程产生酸性气体 G23（HF、HCl）、碱性气体 G24（NH3）、酸性废水 W12、碱性废水 W13 、定期更换的废酸液S21和废碱液 S22、不合格芯片 S23。 （22）贴膜：将硅片放置在机器上，进行手动贴蓝膜，贴膜完成后将硅片取 出转入下一道工序。 该过程产生废蓝膜 S24。 （23）切割：将硅片放置在机器上，运行切割程序，切割完后将硅片取下进 行烘烤，烘烤时间到后将材料取出转入下一站。 该过程产生不合格芯片S25。 （24）包装出货：将生产好的产品进行手动包装，包装好后出货。 本项目热源均由电加热，不设置锅炉。 |
| 环评及批复阶段，生产工艺测试工序完成后需用丙酮进行擦拭清除芯片上的污渍，裂片工序中裂片完成后放入异丙醇溶液中进行清洗。 实际建设过程中，测试工序中用酸碱替代丙酮完成清洗过程，裂片工艺去除，无需用异丙醇进行清洗。 对照《污染影响类建设项目重大变动清单（试行）》（环办环评函[2020]688号），“生产工艺6.新增产品品种或生产工艺（含主要生产装置、设备及配套设施）、主要原辅材料、燃料变化，导致以下情形之一： （1）新增排放污染物种类的（毒性、挥发性降低的除外）； （2）位于环境质量不达标区的建设项目相应污染物排放量增加的； （3）废水第一类污染物排放量增加的； （4）其他污染物排放量增加10%及以上的。”属于重大变动。项目原辅料中去掉丙酮和异丙醇，减少了有机废气的排放量，测试工序中用酸碱替代丙酮完成清洗过程，无新增排放污染物种类，因此，项目因工艺的变化去掉丙酮和异丙醇两种原辅料不属于重大变动。 | |
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环保设施或环保措施
环评文件及批复要求： 实际建设情况： 变动情况及原因： 是否属于重大变动： 是否重新报批环境影响报告书(表)文件：
| 项目磷预扩、蚀刻及Si0沉积工序废气密闭收集，酸洗、镀镍工序废气经集气罩收集，上述工序产生的 NOx、硫酸雾、氟化物、HC1、Cl2、乙酸及颗粒物等酸性废气收集后进入碱液喷淋装置进行处理；碱洗工序产生的NH经集气罩收集后进入酸雾塔装置进行处理；处理后的酸性废气、碱性废气共用一根25m高排气筒(DA001) 排放。项目涂胶、曝光显影及涂玻璃工序废气经负压密闭收集，有机清洗工序废气经集气罩收集，上述工序有机废气收集后进入“干式过滤+二级活性炭吸附装置” 进行处理，通过一根25m高排气筒 (DA002) 达标排放。 | 项目磷预扩、蚀刻及Si0沉积工序产生的废气密闭收集，酸洗、镀镍工序产生的废气经集气罩收集，上述工序产生的 NOx、硫酸雾、氟化物、HC1、Cl2、乙酸及颗粒物等酸性废气收集后进入碱液喷淋装置进行处理；碱洗工序产生的NH经集气罩收集后进入酸雾塔装置进行处理；处理后的酸性废气、碱性废气共用一根25m高排气筒(DA001) 排放。项目涂胶、曝光显影及涂玻璃工序产生的废气经负压密闭收集，有机清洗工序产生的废气经集气罩收集，上述工序产生的有机废气经收集后进入“干式过滤+二级活性炭吸附装置”进行处理，通过一根25m高排气筒 (DA002) 达标排放。 |
| 未发生变化 | |
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其他
环评文件及批复要求： 实际建设情况： 变动情况及原因： 是否属于重大变动： 是否重新报批环境影响报告书(表)文件：
| 项目危废暂存间的建设位置在吹砂站的南侧；项目危废暂存间未要求设置环保设备及相应排气筒，所产生的废气为无组织排放。 | 由于原危废暂存间上空有高压线，存在极大的安全隐患，所以危废暂存间的建设位置调整到厂区北侧；危废暂存间设有活性炭吸附装置，危废在暂存过程中产生的废气经活性炭吸附后无组织排放。 |
| 由于原危废暂存间上空有高压线，存在极大的安全隐患，所以危废暂存间的建设位置调整到厂区北侧，项目危废暂存间位置变化后，环境防护距离范围无变化且无新增敏感点；增加活性炭吸附装置，危废在暂存过程中产生的废气经活性炭吸附后无组织排放，减少对环境的影响。 | |
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3、污染物排放量
污染物 现有工程（已建成的） 本工程（本期建设的） 总体工程 总体工程（现有工程+本工程） 排放方式 实际排放量 实际排放量 许可排放量 “以新带老”削减量 区域平衡替代本工程削减量 实际排放总量 排放增减量 废水 水量 （万吨/年） COD（吨/年） 氨氮（吨/年） 总磷（吨/年） 总氮（吨/年） 废气 气量 （万立方米/年） 二氧化硫（吨/年） 氮氧化物（吨/年） 颗粒物（吨/年） 挥发性有机物（吨/年）
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| 0 | 31727.9 | 94717.9 | 0 | 0 | 31727.9 | 31727.9 | |
| 0 | 2.515 | 2.8 | 0 | 0 | 2.515 | 2.515 | |
| 0 | 0.181 | 0.28 | 0 | 0 | 0.181 | 0.181 | |
| 0 | 0.0098 | 0.018 | 0 | 0 | 0.01 | 0.01 | |
| 0 | 0.3984 | 0.84 | 0 | 0 | 0.398 | 0.398 | |
| 0 | 3690 | 4800 | 0 | 0 | 3690 | 3690 | / |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0.276 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0 | 0.0019 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
| 0 | 0.0376 | 0.0551 | 0 | 0 | 0.038 | 0.038 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
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| 1 | 污水处理站 | **省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020） | 污水处理站 | 满足**省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表2的标准要求 | |
表2 大气污染治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
|
| 1 | 集气罩收集+碱液喷淋装置＋酸雾塔装置 | ** 省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3中相应标 准值 | 集气罩收集+碱液喷淋装置＋酸雾塔装置 | 满足** 省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3中相应标准值要求 | |
| 2 | 密闭收集/集气罩收集+干式过滤+二级活性炭吸附装置 | ** 省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3中相应标 准值 | 密闭收集/集气罩收集+干式过滤+二级活性炭吸附装置 | 满足** 省地方标准《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）表3中相应标准值要求 | |
表3 噪声治理设施
序号 设施名称 执行标准 实际建设情况 监测情况 达标情况
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| 1 | 对产生噪声的设备需采取基础减震、厂房隔声等措施，减少对周边声环境的影响 | 《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准 | 对产生噪声的设备需采取基础减震、厂房隔声等措施，减少对周边声环境的影响 | 满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008）3类标准的要求 | |
表4 地下水污染治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
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| 1 | 按照“源头控制、分区防控、污染监控、应急响应”的原则，确定污染防控措施，定期对各污染物处理设施等进行维护，避免非正常工况排放；做好分区防渗处理，防止土壤和地下水受到污染 | 按照“源头控制、分区防控、污染监控、应急响应”的原则，确定污染防控措施，定期对各污染物处理设施等进行维护，避免非正常工况排放；做好分区防渗处理，防止土壤和地下水受到污染 | |
表5 固废治理设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
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| 1 | 按“**化、减量化、无害化”的处置原则，落实各类固体废物特别是危险废物的收集、处置和综合利用措施。项目一般工业固废综合利用；生活垃圾分类收集后由环卫部门定期清运；废酸液、废碱液、废显影液、废漂洗液、废玻璃浆、废胶、蚀刻废液、镀镍废液(含镀镍工序清洗废水)、蒸镀废金属、废锡液、废有机溶剂、废过滤棉、废活性炭、废机油、废机油桶、污水处理站污泥、危化品包装桶、UV 杀菌废灯管等危险废物须委托****处置。按照《一般工业固体废弃 物贮存和填埋污染控制标准》(GB18599-2020)和《危险废物贮 存污染控制标准》(GB18597-2023)及其修改单中的相关规定要求规范设置一般固废及危险废物暂存场所，并建立台账制度。 注册使用**省危险废物全生命周期监控系统，填写危险废物管理计划，并到生态环境部门进行备案登记。 | 各类固体废弃物已实行分类收集和管理并采取有效措施进行处置和综合利用。本项目废酸液、废碱液、废胶、废显影液、废玻璃浆、蚀刻废液、 镀镍废液、蒸镀废金属、废有机溶剂、废过滤棉、废活性炭、废机油、废机油桶、污水处理站污泥、危废品包装桶等，委托有资质单位（****）处置。 不合格芯片、废蓝膜等收集后外售处理；含油废抹布、化粪池污泥、一般废包装物及职工生活垃圾收集后委托环卫部门清运；纯水制备工艺产生的废膜收集后由厂家回收处理。根据《国家危险废物名录(2021年版)》，含抹布及手套全过程不按危险废物管理，全部交由环卫部门处置。 一般工业固体废物贮存满足《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准》 (GB18599-2020)的要求 ；危险废物贮存满足《危险废物贮存污染控制标准》 (GB18597-2023)的要求 ，并已建立台账制度；已在**省危险废物全生命周期监控系统中完成注册，填写了危险废物管理计划，并在生态环境部门完成备案登记。 | |
表6 生态保护设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
表7 风险设施
序号 环评文件及批复要求 验收阶段落实情况 是否落实环评文件及批复要求
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
环保搬迁
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
区域削减
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
生态恢复、补偿或管理
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
功能置换
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
其他
环评文件及批复要求： 验收阶段落实情况： 是否落实环评文件及批复要求：
6、工程建设对项目周边环境的影响
地表水是否达到验收执行标准： 地下水是否达到验收执行标准： 环境空气是否达到验收执行标准： 土壤是否达到验收执行标准： 海水是否达到验收执行标准： 敏感点噪声是否达到验收执行标准：
7、验收结论
序号 根据《建设项目竣工环境保护验收暂行办法》有关规定，请核实该项目是否存在下列情形：
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| 1 | 未按环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施，或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
| 2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书（表）及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
| 3 | 环境影响报告书（表）经批准后，该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动，建设单位未重新报批环境影响报告书（表）或环境影响报告书（表）未经批准 |
| 4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成，或者造成重大生态破坏未恢复 |
| 5 | 纳入排污许可管理的建设项目，无证排污或不按证排污 |
| 6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目，其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
| 7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚，被责令改正，尚未改正完成 |
| 8 | 验收报告的基础资料数据明显不实，内容存在重大缺项、遗漏，或者验收结论不明确、不合理 |
| 9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
| 不存在上述情况 |
| 验收结论 | 合格 |
温馨提示
