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| 光刻胶 | Micro Resist Technology | 10053.00 | 按行业标准提供服务,提供质保证明 | ma-N 2401(标准膜厚 0.10 μm)旋涂条件 3000 rpm/30 s。适用于电子束(20/50 keV)及 DUV(266 nm)曝光,水性碱性显影,具有高刻蚀抗性和高分辨率。 | 1.0250ml | ma-N 2401 | 10053.00 | **** | |
| 光刻胶 | Micro Resist Technology | 10053.00 | 按行业标准提供服务,提供质保证明 | ma-N 2403(0.30 μm)旋涂条件 3000 rpm/30 s。适用于电子束(20/50 keV)及 DUV(266 nm)曝光,水性碱性显影,具有高刻蚀抗性和高分辨率。 | 1.0250ml | ma-N 2403 | 10053.00 | **** | |
| 光刻胶 | Micro Resist Technology | 10053.00 | 按行业标准提供服务,提供质保证明 | ma-N 2405(0.50 μm)旋涂条件 3000 rpm/30 s。适用于电子束(20/50 keV)及 DUV(266 nm)曝光,水性碱性显影,具有高刻蚀抗性和高分辨率。 | 1.0250ml | ma-N 2405 | 10053.00 | **** |